GT30N135SRA,S1E
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
757-GT30N135SRAS1E
GT30N135SRA,S1E
Ürt.:
Açıklama:
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
Veri Sayfası:
Stokta Var: 3.448
-
Stok:
-
3.448 Hemen GönderilebilirBeklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| 3,67 € | 3,67 € | |
| 2,20 € | 22,00 € | |
| 1,94 € | 194,00 € | |
| Tam Makara (30'in katları olarak sipariş verin) | ||
| 2,20 € | 66,00 € | |
Veri Sayfası
Application Notes
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- IGBT for Voltage-Resonant Inverters: GT20N135SRA
- Improving the Load Transient Response of LDOs
- LDO Regulator Application to Power Supplies for High-Frequency Circuits
- LDO Regulator Application to Power Supply Circuits for Digital Cores of CMOS Image Sensors
- LDO Regulator Application to Power Supply Circuits for MCUs
- LDO Regulators Glossary
- Low Drop-Out (LDO) Regulator IC
- Measures against Radiation Noise
- Mechanism of LDO Oscillation and Reducing the Susceptibility to Oscillation
- Power Efficiency Optimization
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Thermal Design to Maximize the Performance of LDO Regulators
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
