Microchip Power MOS 8 MOSFET'ler

Sonuçlar: 23
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme

Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247 44Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1200 V 4 A TO-220 1.057Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5 A 3.12 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247 6Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1200 V 14 A TO-247 30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 870 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 800 V 22 A TO-247 72Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264 1Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247 92Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247 69Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 37 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247 51Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 170 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264 56Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247 103Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.57 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247 189Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.53 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
100Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 37 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
356Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1000 V 14 A TO-247 Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 kV 14 A 710 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 1000 V 17 A TO-247 Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 17 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-247 MAX Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-264 Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-264 Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 280 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET'ler MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube