SemiQ SiC MOSFETs

Sonuçlar: 12
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
SemiQ SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
Veri Sayfası
6Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Veri Sayfası
115Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Veri Sayfası
168Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Veri Sayfası
90Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
Veri Sayfası
13Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Veri Sayfası
2Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs
Veri Sayfası
99Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 58 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 83 A 36 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 233 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 3 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 18 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement