Vishay SiC MOSFETs

Sonuçlar: 18
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Veri Sayfası
2.313Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
800Beklenen 25.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 18.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 18.06.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
800Beklenen 16.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 16.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
800Beklenen 16.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 16.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
800Beklenen 3.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 6.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 21.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
600Beklenen 17.09.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 57 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 57 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 57 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 57 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 57 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC