Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
IXYS SiC MOSFETs 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Veri Sayfası
276Stokta Var
100Beklenen 11.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Veri Sayfası
795Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Veri Sayfası
760Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Veri Sayfası
400Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement