TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Teknoloji
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1.754Stokta Var
Kesilmiş Bant
9,16 €
5,08 €
4,82 €
Makara
4,20 €
4,10 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.300
SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1.060Stokta Var
9,56 €
5,32 €
4,93 €
4,28 €
4,21 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 209Stokta Var
Kesilmiş Bant
9,11 €
6,06 €
5,37 €
4,71 €
4,21 €
Makara
4,06 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN