SiC MOSFETs - Mouser Türkiye

Ana İçeriğe Geçin

TTI Uzmanlar Ailesinin Bir ParçasıMouser (Almanya) ile iletişime geçin: +49 (0)89 520 462 110Geri Bildirim

Konumu Değiştir

+49 (0)89 520 462 110 Konumu Değiştir

Stokta Var

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Sonuçlar: 5

Uygulanan Filtreler:

Montaj Stili

Paket / Kasa

Kanal Sayısı

Id - Sürekli Tahliye Akımı

Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci

Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı

Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı

Qg - Kapı Şarjı

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

Pd - Güç Dağılımı

Vasıf

Tümünü Sıfırla

Sonuçlarda ara

Stokta Var

Normalde Stoklu

Aktif

Yeni Ürünler

RoHS Uyumlu

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seçin	Resim	Parça Numarası	Ürt.	Açıklama	Veri Sayfası	Stok Durumu	Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.	Miktar	RoHS	ECAD Modeli	Montaj Stili	Paket / Kasa	Kanal Sayısı	Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı	Id - Sürekli Tahliye Akımı	Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci	Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı	Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı	Qg - Kapı Şarjı	Minimum Çalışma Sıcaklığı	Maksimum Çalışma Sıcaklığı	Pd - Güç Dağılımı	Kanal Modu	Vasıf
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,40 € 246Stokta Var 600Beklenen 23.07.2027	Ürt. Parça Numarası SCT020W120G3-4AG Mouser Parça Numarası 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets hakkında daha fazla bilgi	Veri Sayfası	246Stokta Var 600Beklenen 23.07.2027	17,40 € 10,47 €	Min.: 1 Çoklu.: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,87 € 39Stokta Var 1.200Beklenen 29.01.2027	Ürt. Parça Numarası SCT070W120G3-4AG Mouser Parça Numarası 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet hakkında daha fazla bilgi	Veri Sayfası	39Stokta Var 1.200Beklenen 29.01.2027	11,87 € 7,93 € 7,46 € 6,69 € 6,29 €	Min.: 1 Çoklu.: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 599Beklenen 11.11.2026	Ürt. Parça Numarası SCT070HU120G3AG Mouser Parça Numarası 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet hakkında daha fazla bilgi	Veri Sayfası	599Beklenen 11.11.2026	Kesilmiş Bant 12,62 € 8,66 € 7,63 € Makara 6,88 €	Min.: 1 Çoklu.: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 25 Hafta	Ürt. Parça Numarası SCT070H120G3AG Mouser Parça Numarası 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet hakkında daha fazla bilgi	Veri Sayfası	Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 25 Hafta	Kesilmiş Bant 11,64 € 6,76 € 6,68 € 6,48 € Makara 5,97 €	Min.: 1 Çoklu.: 1 : 1.000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: 10,84 € Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 36 Hafta	Ürt. Parça Numarası SCT070W120G3-4 Mouser Parça Numarası 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet hakkında daha fazla bilgi	Veri Sayfası	Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 36 Hafta	10,84 € 7,05 € 6,17 € 5,17 €	Min.: 1 Çoklu.: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement