Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 527.34 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

755-BST400D12P4A101

Ürt. Numarası:

BST400D12P4A101

Ürt.:

ROHM Semiconductor

Açıklama:

MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

BST400D12P4A101 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
Teknoloji:	SiC
Montaj Stili:	Press Fit
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	2 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	394 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	8.6 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.8 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	1.667 kW
Paketleme:	Bulk
Marka:	ROHM Semiconductor
Yapılandırma:	Dual
Düşüş Zamanı:	42 ns
Ürün:	Power Module
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	102 ns
Fabrika Paket Miktarı:	80
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	EcoSiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	198 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	119 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

BST400D12P4A101 Veri Sayfası

Specification Sheets

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Japonya
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ROHM SEMICONDUCTOR

High-Density SiC Power Modules

TRCDRIVE pack™, DOT-247, and HSDIP20 packages contribute to high-performance power conversion.

High-Density SiC Power Modules hakkında daha fazla bilgi

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules hakkında daha fazla bilgi

SiC Power Modules

Half Bridge SiC modules that integrate a SiC SBD and SiC MOSFET into a single package.

SiC Power Modules hakkında daha fazla bilgi

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

SiC power devices deliver significantly higher performance than the Silicon counterparts.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices hakkında daha fazla bilgi

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

Half-bridge module integrates a Sic DMOSFET and SiC Schottky Barrier Diode.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 80

Stok:: 80 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	527,34 €	527,34 €
	445,54 €	4.455,40 €

BST400D12P4A101

Ürt.: ROHM Semiconductor

Açıklama: MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Teknik Özellikler

Belgeler (3)

Veri Sayfası

Specification Sheets

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

High-Density SiC Power Modules

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ROHM SEMICONDUCTOR

Stokta Var: 80

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

ROHM Semiconductor

Açıklama:

MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ROHM SEMICONDUCTOR