DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili If - İleri Akım Yapılandırma Vf - İleri Voltaj Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Teknoloji Paketleme
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO 25Stokta Var
55,22 €
40,82 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO 13Stokta Var
59,37 €
44,08 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
46,33 €
41,62 €
Min.: 15
Çoklu.: 15
Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray