Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 8.99 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

227-TP65H050G4YS

Ürt. Numarası:

TP65H050G4YS

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Veri Sayfası:

TP65H050G4YS Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Renesas Electronics TP65H050G4YS hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Renesas Electronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	35 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	60 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	16 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	132 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	SuperGaN
Teknoloji:	GaN
Marka:	Renesas Electronics
Yapılandırma:	Cascode
Düşüş Zamanı:	8 ns
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	GaN FETs
Yükseliş zamanı:	5 ns
Seri:	Gen IV SuperGaN
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	40 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	40 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TP65H050G4YS Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^® FET is a 50mΩ Gallium Nitride (GaN) normally-off device available in 4 Lead TO-247 package. This Gen IV SuperGaN FET uses Gen IV platform, which supports advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The TP65H050G4YS 650V FET combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET for superior reliability and performance. This SuperGaN FET improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Typical applications include datacom broad industrial, PV inverter, and servo motor.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

RENESAS ELECTRONICS

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS)

650V and 110mΩ normally-off Gallium Nitride (GaN) BDS in a compact TOLT package.

TP65B110HRU Bi-Directional Switch (BDS) hakkında daha fazla bilgi

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

These FETs come in TOLT, TO247, and TOLL packages and use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform.

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs hakkında daha fazla bilgi

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

50mΩ gallium nitride (GaN) normally-off device available in 4 Lead TO-247 package.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET hakkında daha fazla bilgi

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

72mΩ R_DS(on) in top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC-standard (MO-332).

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT hakkında daha fazla bilgi

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

A 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 560

Stok:: 560 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	8,99 €	8,99 €
	5,31 €	53,10 €
	4,51 €	451,00 €
	3,99 €	2.394,00 €

TP65H050G4YS

Ürt.: Renesas Electronics

Açıklama: GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Gen IV SuperGaN® FETs

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER RENESAS ELECTRONICS

Stokta Var: 560

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

Renesas Electronics

Açıklama:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

RENESAS ELECTRONICS