TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

Sonuçlar: 20
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan Paketleme
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 50Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1.960Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 2.000Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1.961Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 1.996Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1.984Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 2.2A N-CH 750Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 1.4A N-CH 294Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 1.1A N-CH 187Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO247 650V 1.69A N-CH 85Stokta Var
60Beklenen 25.11.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 143Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 1.4A N-CH 350Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 1.1A N-CH 224Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler TO220 150V 2.2A N-CH 15Stokta Var
350Beklenen 15.10.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 9Stokta Var
100Beklenen 25.01.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel 8Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET'ler MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS 9Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET'ler POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel