CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Sonuçlar: 11
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Veri Sayfası
152Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Veri Sayfası
358Stokta Var
480Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Veri Sayfası
126Stokta Var
240Beklenen 27.05.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Veri Sayfası
342Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Veri Sayfası
565Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Veri Sayfası
190Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Veri Sayfası
224Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Veri Sayfası
189Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Veri Sayfası
230Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Veri Sayfası
220Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Veri Sayfası
168Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC