1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Sonuçlar: 8
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
25Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
56Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
115Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
95Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
120Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
97Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
67Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 6 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement