IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs HV GAN DISCRETES

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
Marka: Infineon Technologies
Yapılandırma: Single
Neme Duyarlı: Yes
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Ürün: Power Transistors
Ürün Tipi: GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı: 800
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tip: GaN Power Transistor
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Endonezya
Montaj Ülkesi:
Endonezya
Dağıtım Ülkesi:
Avusturya
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

Stokta Var: 593

Stok:
593 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,34 € 6,34 €
3,40 € 34,00 €
3,11 € 311,00 €
2,51 € 1.255,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
2,51 € 2.008,00 €

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.