Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 17.75 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NTHL022N120M3S

Ürt. Numarası:

NTHL022N120M3S

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

Veri Sayfası:

NTHL022N120M3S Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NTHL022N120M3S hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	68 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	30 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.4 V
Qg - Kapı Şarjı:	139 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	352 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Düşüş Zamanı:	14 ns
İleri İletkenlik - Min:	34 S
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	50 ns
Seri:	NTHL022N120M3S
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	44 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	19 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NTHL022N120M3S Veri Sayfası (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Çin
Dağıtım Ülkesi:: Kore Cumhuriyeti

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET is a 1200V, M3S, planar device optimized for fast switching applications. Planar technology reliably works with a negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. NTHL022N120M3S offers optimum performance when driven with an 18V gate drive (also works with a 15V gate drive). Available in a TO-247-3L package, the NTHL022N120M3S is ideal for industrial, UPS/ESS, solar, and EV charger applications.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 80

Stok:: 80

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 450

Beklenen 23.04.2027
Fabrika Teslim Süresi:: 34

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	17,75 €	17,75 €
	11,33 €	113,30 €
	10,75 €	1.290,00 €

NTHL022N120M3S

Ürt.: onsemi

Açıklama: SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

Teknik Özellikler

Belgeler (3)

Veri Sayfası

PCN

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET

M3S EliteSiC MOSFETs

Energy Storage Solutions

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ONSEMI

Stokta Var: 80

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI