MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Vr - Ters Voltaj If - İleri Akım Tip Yapılandırma Vf - İleri Voltaj Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
GeneSiC Semiconductor Diode Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery 3Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Screw Mount Three Tower Iso 600 V 400 A Super Fast Recovery Dual-Common Cathode 1.7 V - 55 C + 150 C Bulk
GeneSiC Semiconductor Diode Modules 400V 400A Super Fast Recovery Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 10 Hafta
Min.: 40
Çoklu.: 40

SMD/SMT Three Tower 400 V 400 A Super Fast Recovery 1.35 V - 55 C + 150 C MURT400 Bulk