NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
onsemi NTH4L060N065SC1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marka: onsemi
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 11 ns
İleri İletkenlik - Min: 12 S
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 14 ns
Seri: NTH4L060N065SC1
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 24 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 11 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

PCN

Uyumluluk Kodları
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Çin
Montaj Ülkesi:
Çin
Dağıtım Ülkesi:
Kore Cumhuriyeti
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Stokta Var: 400

Stok:
400 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
45 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
9,41 € 9,41 €
6,63 € 66,30 €
5,66 € 679,20 €
5,20 € 2.652,00 €

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.