A5Gx Airfast RF Güç GaN Transistörleri

NXP Semiconductors  A5Gx Airfast RF Güç GaN Transistörleri 85 W ve 112 W asimetrik Doherty RF güç GaN transistörleridir. NXP Semiconductors  A5Gx transistörleri, geniş bant genişliğine ihtiyaç duyan hücresel baz istasyonları için idealdir. Cihazların performansı, her bir parça için belirtilen frekans aralığı içinde garanti edilmesine karşın bu aralığın dışında garanti edilmemektedir.

Sonuçlar: 6
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Frekansı
Minimum Çalışma Frekansı
Teknoloji

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
35Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
208Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Veri Sayfası
30Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
5Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Veri Sayfası
2Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 53 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si