TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Maksimum Çalışma Frekansı Minimum Çalışma Frekansı Teknoloji
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 722Stokta Var
68,91 €
68,23 €
52,79 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W 3 GHz 30 MHz GaN
Qorvo GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 12 Hafta
Makara
54,67 €
Min.: 2.500
Çoklu.: 2.500
: 2.500
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W GaN-on-SiC