QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Id - Sürekli Tahliye Akımı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Maksimum Çalışma Frekansı Minimum Çalışma Frekansı Teknoloji
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Beklenen 26.11.2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Beklenen 26.11.2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC