Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 34.54 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NTBG028N170M1

Ürt. Numarası:

NTBG028N170M1

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Veri Sayfası:

NTBG028N170M1 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NTBG028N170M1 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D2PAK-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.7 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	71 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	40 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	222 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	428 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	13 ns
İleri İletkenlik - Min:	27 S
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	18 ns
Seri:	NTBG028N170M1
Fabrika Paket Miktarı:	800
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	121 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	47 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NTBG028N170M1 Veri Sayfası

Material Composition Disclosure

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Kore Cumhuriyeti
Montaj Ülkesi:: Çin
Dağıtım Ülkesi:: Kore Cumhuriyeti

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

NTBG028N170M1 1700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTBG028N170M1 1700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET are optimized for fast-switching applications. The onsemi MOSFETs feature Planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 539

Beklenen 6.11.2026

5.600

2.400

Beklenen 5.01.2027

2.400

Beklenen 15.01.2027

800

Beklenen 10.05.2027
Fabrika Teslim Süresi:: 30

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1 Maksimum: 280

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	34,54 €	34,54 €
	28,05 €	280,50 €
	26,87 €	2.687,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
	26,87 €	21.496,00 €

NTBG028N170M1

Ürt.: onsemi

Açıklama: SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

M1 EliteSiC MOSFETs

NTBG028N170M1 1700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ONSEMI

Stok Durumu

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI