Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 25.98 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

148-GP2T030A170H

Ürt. Numarası:

GP2T030A170H

Ürt.:

SemiQ

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GP2T030A170H Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SemiQ GP2T030A170H hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SemiQ
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.7 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	83 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	36 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.7 V
Qg - Kapı Şarjı:	233 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	564 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	SemiQ
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	21 ns
Paketleme:	Tube
Ürün:	SiC MOSFETS
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	8 ns
Seri:	GP2T
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	48 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	19 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GP2T030A170H Veri Sayfası (PDF)

Uyumluluk Kodları

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Filipinler
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.