1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in QDPAK (top-side cooled) packaging and are designed for automotive and industrial power conversion systems requiring high efficiency, high power density, and robust thermal performance. These devices combine SiC switching performance with a top-side cooled package architecture, providing a direct die-to-heatsink thermal path. This reduces dependence on PCB heat spreading and supports simpler, more effective cooling concepts in compact designs. Typical applications include EV onboard chargers, DC-DC converters, traction and auxiliary inverters, EV charging infrastructure, renewable energy systems, and high-power AC-DC/DC-DC conversion.

Sonuçlar: 4
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu
Nexperia SiC MOSFETs NSF040120L3A0/SOT429-2/TO247-3 205Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFETs NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3 233Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 20Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFETs NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
150Beklenen 5.10.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 111 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 196 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement