High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Sonuçlar: 71
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Vasıf
Ticari Unvan
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263
Veri Sayfası
1.300Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
Veri Sayfası
1.706Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-
Veri Sayfası
350Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247
Veri Sayfası
1.168Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 50

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263-3
Veri Sayfası
194Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
Veri Sayfası
64Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Veri Sayfası
3Stokta Var
1.600Siparişte
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 190
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Veri Sayfası
43Stokta Var
600Beklenen 16.11.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 20

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263
Veri Sayfası
13Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
Veri Sayfası
23Stokta Var
1.800Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 130

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
Veri Sayfası
88Stokta Var
3.788Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-
Veri Sayfası
13Stokta Var
600Beklenen 20.10.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 10

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263
Veri Sayfası
287Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Veri Sayfası
590Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Veri Sayfası
9Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4
Veri Sayfası
600Beklenen 19.10.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
Veri Sayfası
1.000Beklenen 21.12.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
Veri Sayfası
300Beklenen 8.03.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO247-
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 31 Hafta
Min.: 600
Çoklu.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/10MOSICFETG4TOLL
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 27 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs UJ4SC075010L8S
Veri Sayfası
Stokta Yok

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET