Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 9.74 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NTMT045N065SC1

Ürt. Numarası:

NTMT045N065SC1

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V

Veri Sayfası:

NTMT045N065SC1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NTMT045N065SC1 hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TDFN-4
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	55 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	50 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	105 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	187 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	7 ns
İleri İletkenlik - Min:	16 S
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	14 ns
Seri:	NTMT045N065SC1
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	26 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	13 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NTMT045N065SC1 Veri Sayfası (PDF)

Material Composition Disclosure

Uyumluluk Kodları

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Filipinler
Montaj Ülkesi:: Filipinler
Dağıtım Ülkesi:: Kore Cumhuriyeti

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs use technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The onsemi MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. The devices have benefits that include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET hakkında daha fazla bilgi

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 5.818

Stok:: 5.818 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 37 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

5818'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	9,74 €	9,74 €
	6,55 €	65,50 €
	6,45 €	645,00 €
	6,15 €	3.075,00 €
	5,69 €	5.690,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	5,53 €	16.590,00 €

NTMT045N065SC1

Ürt.: onsemi

Açıklama: SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V

Teknik Özellikler

Belgeler (1)

Veri Sayfası

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

M2 EliteSiC MOSFETs

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER ONSEMI

Stokta Var: 5.818

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

ONSEMI