650V & 1200V 3rd Gen Silicon Carbide MOSFETs

Toshiba 650V and 1200V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs are designed for high-power industrial applications like 400V and 800V AC input AC-DC power supplies, photovoltaic (PV) inverters, and bi-directional DC-DC converters for uninterruptible power supplies (UPS). These Toshiba MOSFETs make significant contributions to reducing power consumption and improving power density due to SiC technology. This technology allows for higher voltages, faster switching, and lower on-resistance. The design offers enhanced reliability in addition to low input capacitance, common gate-input charge, and a drain-to-source on-resistance as low as 15mΩ.

Sonuçlar: 24
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 132Stokta Var
14,81 €
12,36 €
8,52 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2.500Stokta Var
Kesilmiş Bant
10,00 €
7,41 €
Makara
7,41 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2.480Stokta Var
Kesilmiş Bant
7,82 €
5,37 €
Makara
5,37 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2.493Stokta Var
Kesilmiş Bant
6,49 €
4,39 €
4,19 €
Makara
4,19 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2.500Stokta Var
Kesilmiş Bant
5,15 €
3,08 €
Makara
3,08 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 61Stokta Var
7,92 €
5,42 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 6Stokta Var
30Beklenen 4.12.2026
9,73 €
7,16 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 28Stokta Var
27,84 €
20,19 €
15,63 €
15,35 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 67Stokta Var
10,87 €
6,22 €
5,76 €
5,38 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 17Stokta Var
30Beklenen 22.04.2027
10,40 €
7,80 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 92Stokta Var
11,68 €
7,16 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 32Stokta Var
60Beklenen 21.04.2027
6,91 €
4,55 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 189Stokta Var
9,05 €
7,10 €
6,50 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 23Stokta Var
9,05 €
6,84 €
6,50 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm 15Stokta Var
6,64 €
3,89 €
3,14 €
2,88 €
2,73 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm 25Stokta Var
6,28 €
4,01 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm 19Stokta Var
6,45 €
3,36 €
3,21 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 40Stokta Var
5,31 €
3,61 €
3,21 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
57Beklenen 22.04.2027
14,81 €
12,36 €
8,52 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
51Beklenen 2.11.2026
17,09 €
14,65 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
210Beklenen 25.12.2026
7,87 €
4,21 €
3,88 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 24 Hafta
8,88 €
6,96 €
6,09 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 24 Hafta
8,87 €
6,27 €
5,22 €
4,65 €
4,35 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 24 Hafta
6,91 €
4,87 €
3,94 €
3,50 €
3,10 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement