CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Sonuçlar: 12
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Teknoloji
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.511Stokta Var
Kesilmiş Bant
3,35 €
2,20 €
1,54 €
1,26 €
1,21 €
Makara
1,07 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 5.000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.815Stokta Var
Kesilmiş Bant
2,47 €
1,60 €
1,10 €
0,886 €
Makara
0,703 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 5.000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4.699Stokta Var
Kesilmiş Bant
2,15 €
1,38 €
0,946 €
0,753 €
Makara
0,586 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 5.000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.661Stokta Var
1.800Beklenen 28.01.2027
Kesilmiş Bant
9,47 €
5,42 €
5,14 €
4,85 €
4,20 €
Makara
4,16 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 977Stokta Var
Kesilmiş Bant
7,37 €
4,01 €
3,68 €
3,62 €
3,16 €
Makara
3,07 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1.262Stokta Var
Kesilmiş Bant
4,06 €
2,68 €
1,90 €
1,63 €
Makara
1,38 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 602Stokta Var
Kesilmiş Bant
11,46 €
7,69 €
7,12 €
6,17 €
Makara
5,38 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 467Stokta Var
Kesilmiş Bant
9,49 €
5,28 €
5,04 €
4,28 €
Makara
4,28 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 2.068Stokta Var
Kesilmiş Bant
7,59 €
4,14 €
3,71 €
Makara
3,28 €
3,20 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 583Stokta Var
Kesilmiş Bant
6,34 €
3,40 €
3,11 €
2,51 €
Makara
2,51 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
9.060Siparişte
Kesilmiş Bant
10,94 €
6,20 €
6,11 €
6,05 €
5,19 €
Makara
5,19 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
3.596Beklenen 19.11.2026
Kesilmiş Bant
6,18 €
3,66 €
3,16 €
2,90 €
2,49 €
Makara
2,49 €
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN