STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Ürün Tip Montaj Stili Paket / Kasa Sürücü Sayısı Çıkış Sayısı Çıkış Akımı Besleme Voltajı - Min Besleme Voltajı - Maks Yapılandırma Yükseliş zamanı Düşüş Zamanı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
STMicroelectronics Kapı Sürücüleri High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 781Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

Gate Driver Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1.8 A 10.3 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 13 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics Kapı Sürücüleri High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 4.900
Çoklu.: 4.900
Tray