IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Paketleme
Infineon Technologies MOSFET'ler MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Veri Sayfası
48.843Stokta Var
34.231Siparişte
Kesilmiş Bant
2,49 €
1,61 €
1,10 €
0,894 €
Makara
0,835 €
Görünüm
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET'ler MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Veri Sayfası
2.261Stokta Var
2.400Beklenen 14.10.2027
Kesilmiş Bant
2,02 €
1,04 €
0,886 €
0,701 €
Makara
0,608 €
0,596 €
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET'ler MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Veri Sayfası
32.600Beklenen 17.12.2026
2,18 €
1,39 €
0,946 €
0,808 €
Görünüm
Min.: 1
Çoklu.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube