Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1111.08 EUR
Availability: OutOfStock

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Qorvo
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	NI-780
Transistör Polaritesi:	P-Channel
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	1 A
Pd - Güç Dağılımı:	714 W
Maksimum Çalışma Frekansı:	1.7 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	0 Hz
Teknoloji:	GaN
Marka:	Qorvo
Kazanç:	18 dB
Maksimum Tahliye Kapısı Voltajı:	50 V
Neme Duyarlı:	Yes
Çıkış Gücü:	537 W
Paketleme:	Waffle
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	QPD1016L
Fabrika Paket Miktarı:	25
Alt kategori::	Transistors

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

QPD1016L Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Amerika Birleşik Devletleri
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

QPD1016L GaN RF Transistor

Qorvo QPD1016L GaN RF Transistor is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.