CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Transistör Çeşitleri
Kategori görünümünü değiştir
Sonuçlar: 8
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS Ürün Tipi
Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
281Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
226Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
181Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
288Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET'ler AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
720Beklenen 3.08.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
240Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel