Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

BIDNW30N60H3

Name: Bourns BIDNW30N60H3
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDNW30N60H3
Price: 3.33 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

652-BIDNW30N60H3

Ürt. Numarası:

BIDNW30N60H3

Ürt.:

Bourns

Açıklama:

IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N

Veri Sayfası:

BIDNW30N60H3 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Bourns BIDNW30N60H3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.187

Stok:: 1.187 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

1187'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,33 €	3,33 €
	1,86 €	18,60 €
	1,74 €	174,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Bourns
Ürün Kategorisi:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Paket / Kasa:	TO-247N-3
Montaj Stili:	Through Hole
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	600 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	1.65 V
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	- 20 V, 20 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	60 A
Pd - Güç Dağılımı:	230 W
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Seri:	BID
Paketleme:	Tube
Marka:	Bourns
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks:	60 A
Kapı Verici Kaçak Akımı:	400 nA
Ürün Tipi:	IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	IGBTs

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

BIDNW30N60H3 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.