STDRIVEG600W

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600W
STDRIVEG600W

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Yaşam Döngüsü:
Fabrika Özel Siparişi:
Üreticinin mevcut fiyatını, teslimat süresini ve sipariş gereksinimlerini doğrulamak için bir fiyat teklifi alın.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Mevcut Değil

Fiyatlandırma (EUR)

Benzer Ürün

STMicroelectronics STDRIVEG600
STMicroelectronics
Kapı Sürücüleri High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marka: STMicroelectronics
Çıkış Voltajı: 520 V
Ürün Tipi: Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: GaN
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.