STFH13N60M2

STMicroelectronics
511-STFH13N60M2
STFH13N60M2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

Yaşam Döngüsü:
Fabrika ile Durumu Doğrulayın:
Yaşam döngüsü bilgileri belirsizdir. Bu parça numarasının kullanılabilirliğini doğrulamak için üreticiden bir fiyat teklifi alın.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 971

Stok:
971 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
52 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
971'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,71 € 2,71 €
1,16 € 11,60 €
1,01 € 101,00 €
0,989 € 494,50 €
0,98 € 901,60 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
350 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Düşüş Zamanı: 9.5 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 10 ns
Seri: STFH13N60M2
Fabrika Paket Miktarı: 920
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 41 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 11 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.