STP16N65M2

STMicroelectronics
511-STP16N65M2
STP16N65M2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 251

Stok:
251
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
1.000
Beklenen 27.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:
14
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,43 € 2,43 €
1,57 € 15,70 €
1,12 € 112,00 €
0,937 € 468,50 €
0,793 € 793,00 €
0,788 € 1.576,00 €
0,776 € 3.880,00 €
25.000 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
360 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
19.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 11.3 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8.2 ns
Seri: STP16N65M2
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 36 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 11.3 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.