MR25H128ACDF

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDF
MR25H128ACDF

Ürt.:

Açıklama:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.140

Stok:
1.140 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,82 € 4,82 €
4,45 € 44,50 €
4,33 € 108,25 €
4,22 € 211,00 €
4,12 € 412,00 €
3,99 € 997,50 €
3,88 € 2.211,60 €
3,81 € 4.343,40 €
3,52 € 10.032,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Everspin Technologies
Ürün Kategorisi: MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Tray
Marka: Everspin Technologies
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Pd - Güç Dağılımı: 600 mW
Ürün Tipi: MRAM
Fabrika Paket Miktarı: 570
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Ticari Unvan: Serial I/O (SPI)
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.