MR25H128ACDFR

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDFR
MR25H128ACDFR

Ürt.:

Açıklama:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 4000   Çoklu: 4000
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (4000'in katları olarak sipariş verin)
4,09 € 16.360,00 €

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Tray
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
4,82 €
Min:
1

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Everspin Technologies
Ürün Kategorisi: MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Reel
Marka: Everspin Technologies
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Pd - Güç Dağılımı: 600 mW
Ürün Tipi: MRAM
Fabrika Paket Miktarı: 4000
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Ticari Unvan: Serial I/O (SPI)
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.