MR4A16BUYS45

Everspin Technologies
936-MR4A16BUYS45
MR4A16BUYS45

Ürt.:

Açıklama:
MRAM 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 279

Stok:
279 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
65,51 € 65,51 €
60,45 € 604,50 €
58,47 € 1.461,75 €
57,00 € 2.850,00 €
55,47 € 5.990,76 €
55,46 € 11.979,36 €
540 Fiyat Teklifi

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
55,07 €
Min:
1

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Everspin Technologies
Ürün Kategorisi: MRAM
RoHS:  
TSOP-II-54
Parallel
16 Mbit
1 M x 16
16 bit
45 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
- 40 C
+ 125 C
MR4A16B
Tray
Marka: Everspin Technologies
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Pd - Güç Dağılımı: 600 mW
Ürün Tipi: MRAM
Fabrika Paket Miktarı: 108
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Ticari Unvan: Parallel I/O (x16)
Birim Ağırlık: 9,210 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.