600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Yapılandırma
If - İleri Akım
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj
Vf - İleri Voltaj
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı
IR - Ters Akım
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Seri
Paketleme
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Veri Sayfası
680Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Veri Sayfası
Stokta Yok
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
Makara: 1.000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel