Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Yarı İletken Çeşitleri

Kategori görünümünü değiştir
Sonuçlar: 51
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 7

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 88Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 539Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 5

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 2.170Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 127


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1.611Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 2
Makara: 1.000

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 285Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 12

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 200

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 6

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1.733Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 28

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 200

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 308Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 16

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 37

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 656Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 121

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1.887Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 827Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 353

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 174Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 13

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 467Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 32

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 15

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.821Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 491
Makara: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 1.601Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 719

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4.274Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 1.465
Makara: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3.104Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 38
Makara: 2.500