STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Yapılandırma
If - İleri Akım
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj
Vf - İleri Voltaj
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı
IR - Ters Akım
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Vasıf
Paketleme
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Veri Sayfası
114Stokta Var
600Beklenen 9.03.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Veri Sayfası
878Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Veri Sayfası
49Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube