650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Sonuçlar: 26
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
3.984Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
360Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
817Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
729Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
653Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
437Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.019Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
753Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
861Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
434Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
460Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
899Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
254Stokta Var
240Beklenen 9.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
132Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
38Stokta Var
1.200Beklenen 7.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
61Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
320Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
371Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
116Stokta Var
240Beklenen 23.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
1.200Beklenen 7.05.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
480Beklenen 24.04.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1.000
Çoklu.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 52 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC