4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Sonuçlar: 5
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı İşletim Besleme Voltajı İşletim Besleme Akımı Kazanç NF - Gürültü Figürü Tip Montaj Stili Paket / Kasa Teknoloji P1dB - Sıkıştırma Noktası OIP3 - Üçüncü Dereceden Kesişme Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Paketleme
Infineon Technologies RF Amplifikatörleri RF MMIC 3 TO 6 GHZ 11.542Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 15.000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifikatörleri 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G 4.500Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 5.000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifikatörleri RF MMIC 3 TO 6 GHZ 7.445Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 12.000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF Amplifikatörleri RF MMIC 3 TO 6 GHZ Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 12.000
Çoklu.: 12.000
Makara: 12.000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies RF Amplifikatörleri RF MMIC 3 TO 6 GHZ Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 20 Hafta
Min.: 12.000
Çoklu.: 12.000
Makara: 12.000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel