HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı İşletim Besleme Voltajı İşletim Besleme Akımı Kazanç Tip Montaj Stili Paket / Kasa Teknoloji P1dB - Sıkıştırma Noktası OIP3 - Üçüncü Dereceden Kesişme Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
Analog Devices RF Amplifikatörleri GaN Driver Ampllifier 103Stokta Var
96Siparişte
Min.: 1
Çoklu.: 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifikatörleri GaN Driver Ampllifier Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 11 Hafta
Min.: 500
Çoklu.: 500
Makara: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel