T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

Sonuçlar: 2
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli İşletim Frekansı İşletim Besleme Voltajı İşletim Besleme Akımı Kazanç Tip Montaj Stili Paket / Kasa Teknoloji P1dB - Sıkıştırma Noktası Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Seri Paketleme
Qorvo RF Amplifikatörleri 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
700Beklenen 10.04.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo RF Amplifikatörleri 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
N/A
Min.: 1
Çoklu.: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle