Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 39.49 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFN210N30P3

Ürt. Numarası:

IXFN210N30P3

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Veri Sayfası:

IXFN210N30P3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFN210N30P3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 680

Stok:: 680 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	39,49 €	39,49 €
	33,36 €	333,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	SOT-227-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	300 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	192 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	14.5 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, + 20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	1.5 kW
Seri:	IXFN210N30
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	13 ns
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	25 ns
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	HiPerFET
Tip:	HiperFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	94 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	46 ns
Birim Ağırlık:	30 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFN210N30P3 Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.