SIHx5N80AE Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs feature a low figure-of-merit, low effective capacitance, and reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs provide an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies. Additionally, the SIHx5N80AE MOSFETs utilize an ultra-low gate charge and integrated Zener diode ESD protection.

Sonuçlar: 3
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Paketleme
Vishay / Siliconix MOSFET'ler DPAK 800V 4.4A E SERIES
Veri Sayfası
2.914Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET'ler TO220 800V 3A E SERIES
Veri Sayfası
1.812Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET'ler N-CHANNEL 100 V
Veri Sayfası
2.899Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape