BIDW50N65T

Bourns
652-BIDW50N65T
BIDW50N65T

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 2.233

Stok:
2.233 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,34 € 4,34 €
2,48 € 24,80 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Bourns
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
100 A
416 W
- 55 C
+ 150 C
BID
Tube
Marka: Bourns
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks: 100 A
Kapı Verici Kaçak Akımı: 400 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: IGBTs
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Electrification Solutions

Bourns Electrification Solutions feature a comprehensive range of transformers, chokes, diodes, resistors, fuses, transistors, and varistors. These products are designed for systems used in the process of electrification, which is the transition from traditional sources of energy, such as oil and gas, to cleaner and more sustainable forms of energy. Electrification affects how cars are refueled, homes are heated, and industries are powered, with the end goal being a reduction in air pollution and energy waste. One example is a heat pump, which is up to 3x more efficient than a boiler to save on heating bills.

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.