Euro Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. 60 € (EUR) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
ABD Doları Incoterms:FCA (Nakliye Noktası) Gümrük vergisi, gümrük ücretleri ve vergiler teslimat sırasında tahsil edilir. $100 (USD) üzerindeki çoğu siparişte ücretsiz gönderim
onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.
Features
1200V and 1700V voltages
D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, bare die packages
+22V/-10V maximum gate-to-source voltage
Low RDS(on) and high short circuit withstand time (SCWT)
Balanced between switching losses and conduction losses
Can be used to replace 1200V IGBTs
Related Products
onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs
Provide superior switching performance and high reliability compared to silicon.