NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

Sonuçlar: 6
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Teknoloji
Montaj Stili
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Paketleme
onsemi MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
Veri Sayfası
20Beklenen 24.11.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
Veri Sayfası
20Beklenen 24.11.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi MOSFET Modules 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
Veri Sayfası
28Beklenen 13.10.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Veri Sayfası
28Beklenen 16.02.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Veri Sayfası
28Beklenen 16.02.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Veri Sayfası
28Beklenen 16.02.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
Maks.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray